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NXP Semiconductors
PESDxS1UB series
ESD protection diodes in SOD523 package
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
P PP
I PP
T j
T amb
Parameter
peak pulse power
PESD3V3S1UB
PESD5V0S1UB
PESD12VS1UB
PESD15VS1UB
PESD24VS1UB
peak pulse current
PESD3V3S1UB
PESD5V0S1UB
PESD12VS1UB
PESD15VS1UB
PESD24VS1UB
junction temperature
operating ambient
Conditions
8/20 μ s
8/20 μ s
[1]
[1]
Min
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
? 65
Max
330
260
180
160
160
18
15
5
5
3
150
+150
Unit
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
° C
° C
temperature
T stg
storage temperature
? 65
+150
° C
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponentially decay waveform; see Figure 1 .
Table 6.
ESD maximum ratings
Symbol
ESD
Parameter
electrostatic discharge
Conditions
IEC 61000-4-2
[1]
Min
Max
Unit
capability
(contact discharge)
PESD3V3S1UB
PESD5V0S1UB
PESD12VS1UB
PESD15VS1UB
PESD24VS1UB
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
PESDxS1UB series
HBM MIL-STD883
-
10
kV
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ElectroStatic Discharge (ESD) pulses; see Figure 2 .
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
PESDXS1UB_SERIES_2
IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)
HBM MIL-STD883, class 3
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 24 August 2009
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